Barriera giunzione p-n [Fisica dei Semiconduttori]

Messaggioda Flamber » 27/01/2015, 22:57

Buonasera,

Sto affrontando lo studio di alcuni dispositivi elettronici a semiconduttore, e mi chiedevo se ci fosse un modo matematico per dimostrare, che la barriera nella regione svuotata della giunzione non può essere annullata, nemmeno polarizzando il diodo con tensioni grandissime (in modulo).
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Re: Barriera giunzione p-n [Fisica dei Semiconduttori]

Messaggioda newton_1372 » 28/01/2015, 17:58

guarda che non è vero...se cortocircuiti il diodo questo si rompe...
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Re: Barriera giunzione p-n [Fisica dei Semiconduttori]

Messaggioda Flamber » 28/01/2015, 18:11

In che senso si rompe? Io sto parlando di un diodo in polarizzazione diretta, non soggetto quindi a fenomeni di breakdown.
Mi stai dicendo che è possibile polarizzando direttamente il diodo (con il + della batteria sul lato p), fino ad un punto tale da ottenere la banda piatta come nel MOS, e quindi annullare di fatto il potenziale di contatto tra lato p e lato n?
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Re: Barriera giunzione p-n [Fisica dei Semiconduttori]

Messaggioda newton_1372 » 28/01/2015, 19:52

Nel senso che si brucia, senti puzza di bruciato, diodo caput...
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Re: Barriera giunzione p-n [Fisica dei Semiconduttori]

Messaggioda RenzoDF » 28/01/2015, 22:53

newton_1372 ha scritto:guarda che non è vero...se cortocircuiti il diodo questo si rompe...

Questa non l'ho capita.
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Re: Barriera giunzione p-n [Fisica dei Semiconduttori]

Messaggioda Flamber » 28/01/2015, 23:26

Cioè quindi anche facendo riferimento al modello di ampio segnale, non è possibile trovare una relazione matematica che garantisca l'impossibilità di annullare il potenziale di contatto?
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