[Elettronica] DRAM

[kyrgios92]

salve a tutti,
il testo mi chiede di voler realizzare una cella di memoria dinamica con un transistore mos ad arricchimento caratterizzato da una certa capacità,che lavori rappresentando lo zero logico con 0 volt e l'uno logico con 4 volt.
Mi viene chiesto che valore di tensione bisogna usare,in fase di scrittura,per la bit-line e per la word-line.
Se si vuole scrivere uno 0,allora VBL=0,se si vuole scrivere un 1,allora VBL=4,e durante tale fase la tensione di word-line è portata a 1 volt(oppure è portata a 4volt)???
è corretto?
grazie in anticipo

[Sling]

Perché terresti la tensione della WL a 1V se $V_{DD}$ è 4V?

[kyrgios92]

Perché terresti la tensione della WL a 1V se $V_{DD}$ è 4V?

si infatti non mi tornava,quindi deve essere 4 volt,grazie