06/09/2019, 17:35
lRninG ha scritto:... Da qui arrivi poi a dire che $I_3=I_1 + I_B \approx I_1$.. Come faccio io ad arrivare a questa deduzione?
lRninG ha scritto:... come fai a capire che da questa regione, passeremo a DON prima che arrivare a TRN e non l'opposto?
06/09/2019, 17:44
06/09/2019, 17:59
lRninG ha scritto:Eh io l'ho applicata, ma io intendevo come potevo intuire che $I_B$ è trascurabile, mi sono espresso male.
lRninG ha scritto: Invece per la seconda affermazione ho sbagliato a scrivere, volevo dire: come fai a capire che dalla regione TRN E DOFF si passerà a una regione TRN DON anziché ad una regione TSAT DOFF...
06/09/2019, 18:06
06/09/2019, 18:20
lRninG ha scritto:Ma il fatto che $I_B$ sia trascurabile rispetto a $I_C$ lo deduci già solo osservando il circuito?
lRninG ha scritto: F... essendo già TRN E DOFF tu capisci che si passa a TRN E DON, quindi intuisci che è il diodo ad accendersi, PRIMA che il transistor entri in saturazione..
06/09/2019, 18:23
RenzoDF ha scritto:ma, per convincerti dell'approssimazione possiamo anche andare a stimare la caduta su RB, determinando in sequenza:
$I_2=(V_u-V_\gamma)/R_2= 0.29 \ \ mA$
$I_C=I_1-I_2=1.11 \ mA $
$I_B=I_C/\beta\approx 11 \ \mu A$
$R_BI_B\approx 88 \ mV$
Skuola.net News è una testata giornalistica iscritta al Registro degli Operatori della Comunicazione.
Registrazione: n° 20792 del 23/12/2010.
©2000—
Skuola Network s.r.l. Tutti i diritti riservati. — P.I. 10404470014.
Powered by phpBB © phpBB Group - Privacy policy - Cookie privacy
phpBB Mobile / SEO by Artodia.