Ragazzi un dubbio ancora:
Parliamo di pseudo NMOS.
In una rete di pull down ho 3 NMOS
L'NMOS A e' in parallelo alla serie degli NMOS B e C.
I tre NMOS hanno le seguenti dimensioni
A(9,2) intese come larghezze e lunghezze per il fattore lambda.
B(18/2)
C(18/2)
In pratica i due rami sono equiresistivi.
La porta logica ne pilota un'altra identica.
Nella capacità di carico, qual è la capacità di gate da considerare?
Per intenderci devo considerare quella dell'invertitore equivalente o altrimenti quale tra quelle dei 3 mos?
Spero di essere stato chiaro.
Vi ringrazio ancora