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Vediamo se ho capito.
L'esercizio ti propone un circuito contenente un transistore MOSFET. Il tuo compito è quello di sostituire al transistor il suo circuito equivalente ai piccoli segnali e calcolare $i_D$.
Il circuito equivalente che descrivi (2 generatori di corrente comandati + conduttanza $g_o$ di uscita) è riferito al transistor MOSFET nel caso in cui si voglia tener conto del terminale di bulk (body). Ma, in questo caso, il circuito dell'esercizio deve necessariamente contenere un transistor MOSFET a 4 terminali: S, D, G, B, altrimenti non saresti in grado di determinare $V_(BS)$, ovvero la tensione tra bulk e source. Il valore di $g_(mb)$ deve comparire tra i dati del problema. Quest'ultimo parametro, noto come transconduttanza di body, è legato alla transconduttanza $g_m$ tramite la relazione

$g_(mb)=(gamma g_m)/(2sqrt(V_{SB}+2phi_F))$,

e modella l'effetto body ai piccoli segnali (la variazione della tensione di soglia $V_(Tn)$ con la tensione $V_(SB)$).
Ti consiglio comunque di approfondire la struttura del transistor MOSFET prima di occuparti del modello a piccoli segnali, altrimenti rischi di non capire (senza sapere cos'è il contatto di bulk, è dura capire l'effetto body!)

esatto è proprio questo che non mi è chiaro; ora mi leggo tutto per bene sul sedra-smith, comunque nell'ventualita che B non sia presente nel circuito iniziale in sostanza bastarebbe tralasciare il ramo in parallelo con il generatore dipendene da esso?!
grazie a tutti della disponibilità!

uffola20 ha scritto: nell'ventualita che B non sia presente nel circuito iniziale in sostanza bastarebbe tralasciare il ramo in parallelo con il generatore dipendene da esso?!!

Esatto. Trascurare $g_(mb)$ equivale sostanzialmente a porre $V_(SB)=0$ e quindi a trascurare l'effetto body.