Problema di microelettronica

Messaggioda nochipfritz » 22/01/2006, 12:05

Salve Gente,
Spero che qualcuno possa aiutarmi a risolvere questo esercizio...soprattutto su questi 2 problemi:
1) su quale concentrazione di portaratori deve essere calcolata la mobilità delle lacune nella formula della corrente di diffusione
2) perchè nel testo è presente il dato W

Il testo è :

Una giunzione p++/n con Nd = 3x10^15 cm^-3 è polarizzata direttamente. Sapendo che la concentrazione dei portatori minoritari nella regione neutra n al bordo della regione di carica spaziale vale 10^14 cm^-3, calcolare la tensione di polarizzazione e la corrente di diffusione (effettuare i calcoli per una giunzione di area A=3x10^-4 cm^2, larghezza della regione di tipo n w=0.2micrometri e vita media dei portatori tau=0,1 micrometri).
nochipfritz
 

Messaggioda karl » 22/01/2006, 16:29

Per caso,non e' che tra i dati manca $N_A$ ovvero la concentrazione
del drogante nel lato p?
Archimede
karl
 

Messaggioda nochipfritz » 22/01/2006, 21:33

il problema è proprio questo. Capire su quale concentrazione (quelle degli elettroni o delle lacune) devo andare a calcolare la mobilità. Perchè se devo usare Nd il problema si risolve facilmente (ma rimane il dubbio che il dato w sia superfluo). Invece,se devo calcolarmi Na....la cosa non sembra banale.
nochipfritz
 

Messaggioda karl » 23/01/2006, 22:22

Nella formula della mobilita' delle lacune (nella zona n) compare Na +Nd .Poiche'
per un semiconduttore di tipo n Na<<Nd ,Na+Nd=N si puo' sostituire con Nd=N.
Archimede.
karl
 


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