Re: [Elettronica] Circuito e caratteristica ingresso uscita

Messaggioda RenzoDF » 06/09/2019, 17:35

lRninG ha scritto:... Da qui arrivi poi a dire che $I_3=I_1 + I_B \approx I_1$.. Come faccio io ad arrivare a questa deduzione?

Applicando una KCL al "taglio" rosso


lRninG ha scritto:... come fai a capire che da questa regione, passeremo a DON prima che arrivare a TRN e non l'opposto?

Questa non l'ho capita; cosa intendi dire?
Il transistor và in RN prima che il diodo passi ON, non viceversa. E' il transistor che andando ad incrementare la corrente in R3 fa alzare Vx fino a rendere conduttivo D.
"Il circuito ha sempre ragione" (Luigi Malesani)
RenzoDF
Cannot live without
Cannot live without
 
Messaggio: 5498 di 5794
Iscritto il: 06/08/2014, 09:08

Re: [Elettronica] Circuito e caratteristica ingresso uscita

Messaggioda lRninG » 06/09/2019, 17:44

Eh io l'ho applicata, ma io intendevo come potevo intuire che $I_B$ è trascurabile, mi sono espresso male.

Invece per la seconda affermazione ho sbagliato a scrivere, volevo dire: come fai a capire che dalla regione TRN E DOFF si passerà a una regione TRN DON anziché ad una regione TSAT DOFF, senza fare considerazioni analitiche?
lRninG
Junior Member
Junior Member
 
Messaggio: 139 di 146
Iscritto il: 11/01/2019, 18:05

Re: [Elettronica] Circuito e caratteristica ingresso uscita

Messaggioda RenzoDF » 06/09/2019, 17:59

lRninG ha scritto:Eh io l'ho applicata, ma io intendevo come potevo intuire che $I_B$ è trascurabile, mi sono espresso male.

Volendo puoi anche andare a stimare IB, ma IB è (dal mio punto di vista) trascurabile rispetto a IC in quanto 100 volte inferiore.

lRninG ha scritto: Invece per la seconda affermazione ho sbagliato a scrivere, volevo dire: come fai a capire che dalla regione TRN E DOFF si passerà a una regione TRN DON anziché ad una regione TSAT DOFF...

Scusa ma il crescere di Vi, facendo crescere IC come pure la Vx, come potrebbe portare D da ON a OFF?
Ultima modifica di RenzoDF il 06/09/2019, 18:27, modificato 1 volta in totale.
"Il circuito ha sempre ragione" (Luigi Malesani)
RenzoDF
Cannot live without
Cannot live without
 
Messaggio: 5499 di 5794
Iscritto il: 06/08/2014, 09:08

Re: [Elettronica] Circuito e caratteristica ingresso uscita

Messaggioda lRninG » 06/09/2019, 18:06

Ma il fatto che $I_B$ sia trascurabile rispetto a $I_C$ lo deduci già solo osservando il circuito?

Forse pongo male la seconda domanda, ma io intendevo, essendo già TRN E DOFF tu capisci che si passa a TRN E DON, quindi intuisci che è il diodo ad accendersi, PRIMA che il transistor entri in saturazione..
lRninG
Junior Member
Junior Member
 
Messaggio: 140 di 146
Iscritto il: 11/01/2019, 18:05

Re: [Elettronica] Circuito e caratteristica ingresso uscita

Messaggioda RenzoDF » 06/09/2019, 18:20

lRninG ha scritto:Ma il fatto che $I_B$ sia trascurabile rispetto a $I_C$ lo deduci già solo osservando il circuito?

No, lo deduco osservando il beta, che vale 100; se valesse (per esempio) 10 non potrei farlo, ad ogni modo, prova a disegnarti una rete semplificata e vai a scriverti le equazioni per ottenere IB senza usare quella approssimazione; non è impossibile risolvere analiticamente il tuo dilemma. :wink:

lRninG ha scritto: F... essendo già TRN E DOFF tu capisci che si passa a TRN E DON, quindi intuisci che è il diodo ad accendersi, PRIMA che il transistor entri in saturazione..

Lo intuisco dal fatto che, con il transistor in saturazione, ipotizzando D OFF, VD sarebbe pari a 4.8V/3=1.6V.
Ultima modifica di RenzoDF il 06/09/2019, 18:24, modificato 1 volta in totale.
"Il circuito ha sempre ragione" (Luigi Malesani)
RenzoDF
Cannot live without
Cannot live without
 
Messaggio: 5500 di 5794
Iscritto il: 06/08/2014, 09:08

Re: [Elettronica] Circuito e caratteristica ingresso uscita

Messaggioda lRninG » 06/09/2019, 18:23

Ahhh capito tutto!! Grazie grazie grazie
Edit ti assicuro che stavo per porti la domanda nel caso $\beta=10$ :shock: , poi ho desistito.

Stavo provando a trovarlo ma mi sono accorto che hai fatto tu anche questo... :D
RenzoDF ha scritto:ma, per convincerti dell'approssimazione possiamo anche andare a stimare la caduta su RB, determinando in sequenza:

$I_2=(V_u-V_\gamma)/R_2= 0.29 \ \ mA$

$I_C=I_1-I_2=1.11 \ mA $

$I_B=I_C/\beta\approx 11 \ \mu A$

$R_BI_B\approx 88 \ mV$
lRninG
Junior Member
Junior Member
 
Messaggio: 141 di 146
Iscritto il: 11/01/2019, 18:05

Precedente

Torna a Ingegneria

Chi c’è in linea

Visitano il forum: Nessuno e 5 ospiti