Diodo e modello equivalente.

[Ziko]

Salve a tutti.

Sono alle prese con una simulazione di un circuito attraverso il software Advanced Design System e, ho qualche difficoltà a creare (o trovare) un modello per il diodo 1N4148W.
Questo leggendo il datasheet del costruttore dovrebbe essere un diodo ad alta velocità e, fin qui tutto bene. Quello che mi crea difficoltà è che i parametri che appaiono sul datasheet non corrispondono con quelli che il simulatore richiede.

Spero di essermi spiegato abbastanza chiaramente.

Grazie 1000 in anticipo a chiunque dipanerà questo mio problema.

[elgiovo]

Sul data-sheet potrebbe esserci il modello SpectreRF invece che quello ADS (è un altro programma per simulazioni di circuiti RF).
In questo sito, in fondo, trovi le equivalenze tra i due modelli (ci sono anche i modelli Spice e HSpice).

[Ziko]

Grazie per il link, cono conoscevo l'esistenza di così tanti modelli diversi. Però purtroppo non credo si tratti di un problema di modelli diversi. Il problema è che mi vengono forniti dei dati di entità diversa dai soli con i quali ho confidenza. Credo che un link possa chiarire quanto affermo:

http://61.222.192.61/mccsemi/up_pdf/1N4148W(SOD123).pdf

Qui c'è il link al datasheet che sto consultando e, mi aspettavo di trovare parametri come corrente di saturazione, corrente inversa, energia di innesco etc etc. Mentre invece trovo tutt'altro.

Quello che mi domando è che uso devo fare di questi dati per creare il modello del mio diodo.

Grazie.

[elgiovo]

corrente di saturazione, corrente inversa, energia di innesco

Ehm... Quelle in neretto magari sono la stessa cosa... E poi la corrente di saturazione è chiaramente indicata, per diversi valori di tensione inversa e temperatura.
Per energia di innesco non so cosa intendi, la soglia di accensione è il parametro "Forward voltage drop".

[Ziko]

Apparte lo sfondone non era quello che intendevo dire. Quello che intendevo dire è che in genere ci sono i parametri necessari a realizzare un modello. Mentre invece in quel datasheet non ne vedo. Navigando un pò qua e la mi è stato consigliato di vedere prodotti forniti da altri costruttori e, infatti alla fine mi sono imbattuto in quello che probabilmente è ciò che mi serve:

Codice:

* Model for Vishay diode 1N4148W-V .....
* T154D Chip (not T157D)
*
* VISHAY Semiconductor GmbH
* Hartmut Harmel, 13 July 2006
*
.SUBCKT 1N4148 1 2
.MODEL PN D (
+ N=2.6
+ IS=0.62E-9
+ RS=1.07
+ trs1=0.0016
+ IKF=35.490E-3
+ XTI=3
+ CJO=0.453p
+ VJ=0.75
+ M=.0331
+ FC=0.5
+ TT=4E-9
+ BV=105
+ TBV1=0.0005
+ ISR=12e-9
+ NR=2.04
+ EG=1.2
+ IBV=0.001
+ KF=0
+ AF=1
+ IBV=1e-10)
L1 1 3 1.0n
L2 4 2 0.5n
D1 3 4 PN
.ENDS


Questo è il modello (con i parametri che cercavo) di un componente equivalente. Suppongo che per il mio scopo possa bastare, però non posso fare a meno di domandarmi avendo solo il datasheet che ho indicato come si potrebbe arrivare a costruire un modello di quel genere.

[elgiovo]

No, direi proprio di no. Puoi al limite estrapolare qualche parametro tipo la corrente inversa (IS nel modello) e poco più. Al limite dai uno sguardo al significato dei parametri. Ad esempio, FC, M, CJO e il potenziale di built-in \( \displaystyle \phi_0 \) vanno combinati per ottenere la capacità del diodo così:

\( \displaystyle C_D=\left\{ \begin{array}{lcc}
\frac{C_{j0}A}{\left(1-\frac{V_d}{\phi_0}\right)^{m}} & \text{se} & V_d<(FC)\phi_0 \\
\frac{C_{j0}A}{\left(1-FC\right)^{m+1}} \left[ 1-FC(1+m) + m \frac{V_d}{\phi_0} \right] & \text{se} & V_d>(FC)\phi_0
\end{array}
\right. \)

[elgiovo]

Qui vengono spiegati i parametri spice: http://www.allaboutcircuits.com/vol_3/chpt_3/14.html
Ora ho capito cosa intendevi con energia di attivazione, è il gap...